Optionale Pre- und Post-Processing.Module
Als zusätzliche Systembestandteile der Adenso VAC.ROBOTICS Plattform bietet Adenso optional weitere Pre- und Post-Processing.Module für das Temperieren von Substraten jeder Größe sowie für die präzise Druckregelung an.
adHEAT | advanced Heating Solutions
Zahlreiche Prozesse wie beispielsweise bei der SiC-Technologie (Silicon Carbide) erfordern hohe Prozesstemperaturen (> 1.000°C). Untemperierte Substrate benötigen eine lange Aufheizzeit. Optimieren Sie Ihre Prozesse und sparen Sie wertvolle Prozesszeit mit adHEAT. Unsere HEATING/COOLING.Module können einfach an die Adenso VAC.ROBOTICS Plattform angedockt werden und sind sofort einsatzbereit.
Ihre Vorteile
- Einfache Integration in die Adenso VAC.ROBOTICS Plattform
- Prozessoptimierung durch Zeitersparnis
- COOLING.Modul: Kühlung von Substraten nach thermischen Prozessen
- HEATING.Modul: Erwärmung von Substraten als Prozessvorbereitung
- adHEAT.1kC ermöglicht Vortemperierung von Substraten oder Carriern bis zu 1.000°C
- Prozesskontrolle per Adenso Cluster Software.Solution adControl
adVAC
advanced Vacuum Pressure Control
adVAC – unsere Lösungen für die präzise Druckregelung innerhalb der Clusteranlage und deren Einzelkammern. Adenso stellt individuell auf Kundenprozesse abgestimmte Lösungen bereit.
adJET
advanced DUT pressure control
adJET – unsere Lösungen für die gezielte Bereitstellung spezieller Druckwerte direkt am Device Under Test (DUT). Per Düse können Gase oder Gasgemische unabhängig und getrennt von ihrer Vakuumumgebung direkt zum Substrat geleitet werden, ohne sich in hoher Konzentration in der Umgebung auszubreiten.
STEALTH.CARRIER
Geeignet für sämtliche Substrate:
- 50, 100, 150, 200 und 300mm Wafer
- Glas, Keramik, Saphirsubstrate,
- Geräte, Einzelchips usw.
Implanter.Module
Bei der Ionen-Implantation (ion implantation) in der Halbleiterindustrie werden Ionen auf und in Substrate wie Wafer auf- und eingebracht (Dotierung, Einbringung von kontrollierten Fehlstellen u.a.), um eine gezielte Veränderung der Eigenschaften des Grundmaterials und/oder der bereits aufgebrachten Layer zu erreichen. Adenso bietet kundenspezifisch angepasste Implanter.Module (IMP) als Bestandteil der modularen VAC.ROBOTICS Plattform, womit die Kunden auf einfache und schnelle Weise neue Implanteranlagen aufbauen und neue Ionen-Implantationstechnologien anwenden und entwickeln können.
Für neue Ionen-Implantationsprozesse wie Superjunction-Technologien für SiC (Siliziumkarbid)-MOSFETs bis 3,3 kV eignen sich die bereits in der industriellen Serienproduktion bewährten, kompakten Implanter-Module von Adenso optimal für die Großserienfertigung, insbesondere in Verbindung mit den SubstrateScanner.Lösungen für präzise Scanbewegungen der SiC-Substrate/Wafer im Ionenstrahl.
Ergänzt mit einem Heiz.Chuck bis 1.000°C ergeben sich deutliche Durchsatzsteigerungen.
Weitere Optionen sind vielfältige Stahlsteuerungen, Kalibriereinrichtungen und Messtechnik. Diese ermöglichen in viellen Fällen (bei z.B. SiC MOSFETS) die Reduktion auf weniger Implantationsstufen, was eine deutliche Kosteneinsparungen und Durchsatzsteigerung Feld bedeutet.
Anwendungen solcher silicon-carbide basierender MOSFETS auf SiC Superjunction Technologie sind vielfältig: automotive drivetrains, EV charging, solar energy systems, energy storage, high-power traction inverters etc.
Das WHM-IMP.Module ist für Substratabmessungen bis 300 oder 200mm ausgelegt, auf der jeweils auch Wafergrößen von 150/100/75/50/25mm bearbeitet werden können.
Für alle Substratgrößen und -abmessungen (rund, rechteckig, sonder) stehen direkte Substrathandlings wie auch Carrier.Lösungen zur Verfügung.
- Flexible, kundenspezifische Konfiguration, basierend auf produktionserprobten Lösungen
- Schnelle Inbetriebnahme durch Modularität in Hardware und Software
- Integration kundenspezifischer Ionen-Implantations-Technolgien und Messequipment
SSS SubstrateScanner.Solutions
Die folgenden Besonderheiten werden von Adenso.Implanterkunden besonders geschätzt:
- Vertikal.Scanner – für schnelle und hochpräzise Substratbewegung, wenn der Ionenstrahl nur in einer Richtung aufgefächert werden kann
- DUAL.SCAN Solution – ausgerüstet mit zwei Scannermodulen - wahlweise für höchsten Durchsatz und/oder Filter/Substrat-Kombinationen
- Aktiv-/Passiv-Substrat – StrahlFilter.Technologie
- Heiz-/Kühl-Chucksysteme verfügbar (bis 1.000°C)
Die Adenso Scanner.Solutions sind hervorragend geeignet zur Prozessierung von SiC Wafern (Siliziumkarbid), insbesondere in Verbindung mit dem HeizChuck bis 1.000°C.
Neue Technologien wie SiC Superjunction für SiC MOSFETS können präzise auf industriell erprobten Adenso.Lösungen prozessiert und weiterentwickelt werden.