Mit der zunehmenden Verbreitung von Siliziumkarbid-(SiC)-Leistungshalbleitern steigen auch die Anforderungen an moderne Implantationsprozesse. Insbesondere Superjunction-Technologien für SiC-MOSFETs bis 3,3 kV erfordern hochpräzise und zugleich wirtschaftliche Fertigungslösungen.
Für diese Anwendungen eignen sich die kompakten Implanter.Module von Adenso, die sich bereits in der industriellen Serienproduktion bewährt haben. Die Systeme wurden gezielt für die Anforderungen der Großserienfertigung entwickelt und ermöglichen eine zuverlässige Realisierung anspruchsvoller Implantationsprozesse auf SiC-Substraten.
Ein wesentlicher Erfolgsfaktor ist die Kombination mit den SSS SubstrateScanner.Solutions von Adenso. Diese Lösungen gewährleisten präzise Scanbewegungen der SiC-Substrate beziehungsweise Wafer im Ionenstrahl und schaffen damit die Voraussetzung für eine exakte und reproduzierbare Prozessführung.
Zusätzlich lassen sich die Implanter-Systeme mit einem Heiz.Chuck für Temperaturen bis 1.000 °C ausstatten. Dies ermöglicht deutliche Durchsatzsteigerungen und erhöht die Wirtschaftlichkeit in der Großserienfertigung von SiC-Substraten.
Mit seinen modularen und industriebewährten Lösungen unterstützt Adenso die Weiterentwicklung innovativer SiC-Bauelemente und trägt dazu bei, die Anforderungen zukünftiger Hochleistungsanwendungen in der Leistungselektronik zuverlässig zu erfüllen.
Weitere Informationen:
Implanter.Module: https://adenso.solutions/vac-robotics/ion-implantation/#implant
SSS SubstrateScanner.Solutions: https://adenso.solutions/vac-robotics/ion-implantation/#sss
